理论分析基区的光生空穴漂移扩散会形成光生电压可作为部分基区电压，所以之前就只用了0.5V的基极偏压，而Device做光电转换只将光生载流子加入到device中，可能没有考虑光生电压导致0.5V基极偏置不能使发射结正偏。我把基极电压改为1V结果的趋势就正确了。Ic随集电极电压先增大后稳定，但是稳定值对于一般HPT来说有些过大了，可以达到62mA，如图绿色曲线（In）所示。基极电流还可以为0.2mA左右，Ic异常大的原因可能是什么呢？我的光功率只用了1mw，其中光沿z轴backward入射，cwgeneration的source intensity为1e+7w/m2，仿真区域x-span和y-span均为10um,入射光功率就为1e+7*1e-5*1e-5w=1mw。
衬底掺杂是1e+15,n型掺杂，每个电极都有两个分别做在台面两侧位于发射区，基区和次集电区，如下图所示
衬底掺杂是1e+15,n型掺杂，每个电极都有两个分别做在台面两侧位于发射区，基区和次集电区，如下图所示
You are navigating away from the AIS Discovery experience