Guilin Sun
Ansys Employee
"但是不知道问题处在了哪" 到底是什么问题?能否参考之前给你的链接,把问题写清楚? 你在基底Si里面不同位置放两个透射率监视器,一个靠近界面,一个挨着PML,它们的结果会一样吗?如果Si在词波段没有吸收,它们应该一样;如有差别,那是数值误差,那么你的吸收率如果小于这种误差,那么得到的结果就不可靠。 你会从Stack结果里面提取RT吗?能计算出1-R-T就是膜层的理论吸收率;如果吸收很小,可能用FDTD仿真得到的结果不会太准确。如果不是很小,比如0.1, 那么应该先用FDTD仿真膜层结果,看看与理论结果的差别,请先做这一步。 然后再考虑y用FDTD 仿真周期结构。如果基底没有吸收,你需要用透射率监视器;如果有吸收,那么仿真就认为进入基底的电磁场将会完全被吸收,这也是用PML的作用,然后你仅需要计算1-R就是吸收率;否则如果没有吸收,就要用透射率监视器,用1-R-T计算仿真的吸收率。 “最上面是一层20nm的银,然后再是50nm的sio2,在下面是0.6um的si,最下面是380um的si衬底” 请问衬底为什么是380um?380um下面是什么? 仿真的时候我们就要假设Si衬底无限大,所以才有PML截断。 关于你的脚本,厚度错了! 脚本用的单位是国际单位,你计算的结果是米,不是微米! 第二个错误,仿真时考虑衬底无限大,用Stack为什么又加上实际厚度呢?这样的话了没法和仿真比,因为它们不是一样的器件。Stack计算时上下都是空气,仿真是基底无限,它们是不相同的。请把这个问题考虑清楚。如果不清楚PML作用是什么,请网上查查吧。 请按上面介绍一个一个地做,有问题请每次都要详细说明问题,好吗?