guohongjie
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老师我用的是各项异性的,我设置铌酸锂材料的逻辑是这样 首先根据铌酸锂的色散关系得到ne和no,并且将值传给slab部分和rib部分 slab 根据不同切向,设置不同的epslion矩阵,案例中的BTO在于晶体的切向为011,所以需要旋转电场方向,铌酸锂切向只有XYZ三种,所以这里我没有应用旋转矩阵。 我把参数换成铌酸锂材料后进行了计算,这里有个问题,我没有找到相关的文献。我查到BTO和铌酸锂的电光系数张量矩阵都是6*3,案例这里将计算变形为3*3矩阵,于是我就仿照数据规律,生成了我上面的代码(这个步骤我没有找到文献证明) slab和rib部分都是利用的同一个CHARGE文件分析的,不同区别在于宽度和高度不同 目前设置的薄膜厚度是0.1μm,脊型高度和宽度都是0.5μm