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[jiaqing.li]

Hi 孙博士@gsun   您好。   感谢您的回复。可是我任然觉得是仿真的设定哪里出了问题。因为，我给您讲的60%vs66%已经是最好的情况了。在260nm硅波导160nm刻蚀情况下(即图2粉色点)时，文章中的值为84%，但是仿真值仅有54%。所以，我很奇怪为什么相同的原理，差距会越来越大(换言之，在相同的波导情况下，光栅设计的最优点发生了漂移，但是所用原理与仿真软件却是相同的)。   所以，我在想会不会是边界条件或者光源设置有问题？但是，我光源用的是例子中的光源，是仿真的光纤出射后的状态。边界条件也全是PML，是适用的。现在的情况就是我不知道哪里可能会有问题，但是仿真结果却相去甚远。所以，还想请你帮我看看，我在仿真中，哪里可以再去提升下！   十分感谢！   祝好 家青