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我想对一个近似无穷大的硅基底上的单个金纳米结构成像，照明光源是从上往下的平面波，并且这个成像过程中需要考虑NA的影响。

由于我并非周期结构，所以光场只能通过TFSF的散射场（我指的散射场都是指TFSF算出的光场）与没有结构时的光滑基底的平面波反射光叠加。

并且TFSF的散射场尺寸也远比监视器小，进行傅里叶变换的时候不会出现覆盖区域不足的问题。

 

也就是说先在pml边界下，TFSF场得出一个散射分布，比如在图中结构上方200nm处放一个监视器，看到此处的散射场S1；

再在另外一个仿真下，除去结构，仅保留基底。周期边界下平面波放在相同位置照明，计算基底在相同位置的反射光在R1。

对TFSF的散射场S1进行案例中一样的处理。计算远场结果然后再傅里叶变换获得某一个NA下的散射场S2。

再将S2与R1叠加，获得最终显微成像的结果。

但是问题是，当我S1计算S2的过程中时，将z0设为0时，计算出的S2并不像是S1位置处的结果（即结构上方200nm）。反而是z0设置为-300nm时S2最接近此位置的结果。

因此我想知道z0这个焦面，到底是指哪个高度的面。