Photonics – Chinese

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当材料介电常数虚部太大导致网格分割过细需要很多内存时应该如何设置网格?

    • liuyujie
      Subscriber
    • Guilin Sun
      Ansys Employee
      首先需要理解FDTD怎么仿真的:它需要将待仿真的区域划分网格,网格尺寸与材料内最短波长的关系是 Lambda/N,如果是高损耗介质,像你现在所用金属材料,最短波长要改为趋肤效应的Skin Depth或者吸收系数。N一般建议为10,低精度可以用6,不过要大致分析可以用到4(需要特殊设置),再低精度误差就太大。 网格精度参见 Ansys Insight: 用于设置Mesh accuracy对应多大的网格尺寸

      dz=0.02micron只是能分辨几何细节,不能分辨物理细节,因此尽管内存下降,精度可能下降更多。

      仿真慢也是正常的,因为网格相对于波长太小了,FDTD是时间步长dt正比于网格尺寸,而仿真需要多少个波长对应的周期T,因此,T/dt 非常大,导致所谓的很慢。相对于光子本身来说,并不慢,需要一个一个网格传播。

      如果你不是主要研究这个结构的空间吸收,建议将conductivity 3D模型改为conductivity 2D模型,用2D Sheet代替实际的厚度,这样可以大大减少内存。关于2D Sheet 有问题请另外发帖。
    • liuyujie
      Subscriber
      我把最短波长改变之后,光源的信号就变成这样了,不再是高斯分布,请问这样是对的吗
    • liuyujie
      Subscriber
    • Guilin Sun
      Ansys Employee
      请另外发帖子吧,不知道什么样的器件工作波长从0.7微米到近3万微米。此时材料特性一定不正确。另外发个贴详细说明。
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