Photonics – Chinese

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关于非线性求解器设置的DC UPDATE MODE疑问

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    • DwLixixi
      Subscriber
    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      问题是解决了吗?DC我估计是指电压?只要你有非线性系数与电压的关系,应该可以仿真。

    • DwLixixi
      Subscriber

      孙老师,您好

      1、上次我想问的是charge中DC UPDATE MODE的选择:

      当我分别用 self consistent 和 electrostaic进行模拟时,得出的结果区别比较大,我想知道如何选择这俩选项来模拟器件的I-V结果。

      2、我的器件尺寸是30X30X1um时,我的整个mesh设置最大边0.05、最小边0.0001,进行mesh了5个小时,5%的进程最后还是报错了。我想知道是我的mesh设的过细吗?

      3、mesh设置:在整体仿真区域我的最小边大小能不能大于我局部的mesh最大边的设置

      希望老师能够解答,谢谢!

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      你看看网站上的介绍:
      DC UPDATE MODE:

      self-consistent (default) solves the system of equations for the electrostatic potential (Poisson equation), charge density (drift-diffusion), and heat transport.

      The electrostatic option will only solve Poisson’s equation, using the carrier density as a fixed input;

      the charge option will only solve the drift-diffusion equations, using the electrostatic potential as a fixed input. Both the electrostatic option and the charge option require an existing solution that provides the fixed input (see continuation).

      因此,结果不同很正常。不知道的情况下就用缺省的  self consistent。

      最大边0.05、最小边0.0001,这些太小了,占用很多内存,用2,0.01微米试一下,需要特别细的地方用Mesh设置一下。

      Mesh是局部的,主要用来限制局部地区的最长边长:

       

      它比背景网格有优先权。

    • DwLixixi
      Subscriber

      1、按照老师你所说的,将Global Mesh设置为2,0.01;对于器件内部是2nmX2nmX0.6um的结构,那我对于这个区域的mesh设置最大边长为0.001是否复合我需仿真的精度,还是我的最大边长设置过小。

      2、我想模拟出器件在内部设置一个结构,该结构有利于提升器件的电流值是否有方法设置这个结构?我最近一直是用导体来模拟这个内部结构,但是这个导体结构存在一些问题。无论该导体结构的长短怎么改变其导致的器件电流波动不是很大。能否给出建议,比如我想在内部设置个重掺杂来模拟这个结构,但这个结构受中掺杂区域大小影响整个器件电流比较。

      还请孙老师能够解答,谢谢!

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      先不要考虑精度问题,先解决发散问题。

      发散问题解决了,再考虑精度。实际上,有限元算法是自适应网格,其最细的网格可能会比所设定的还要细,只要再迭代次数之内。如果网格变化对结果影响很小,不一定非要用很细的网格。

      只有半导体材料才可能产生所需要的电流,同时也有损耗,如各种复合。你可能需要分析这个结构从原理上如何提高电流,现在的设置和结构是不是满足这个物理过程?要知道重掺杂并不一定会很好啊,实践上是否行得通?损耗如何?我们一般对具体设计很少提供建议,因为在这方面应该是不如你们一线研究者更清楚里面的机理。

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