Photonics – Chinese

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关于s参数分析组的提问

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    • 202121623058
      Subscriber

      请问如果有一个多层SPP耦合结构(类似如下),我想获得耦合模式下,其内部Ⅱ层与另外两层 交界处的s参数,该如何测量呢?

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      你需要将两边的材料向外延申,仅保留两个材料界面,相当于II材料位于无限长介质的中间。

      不过,如果是膜层结构,应该能用解析公式计算吧?

      仿真还需要确保能有SPP产生,我估计需要斜入射吧?此时需要在倾斜面用Bloch边界,平面波,单波长;如果入射角度不是很大,比如不超过60 到70度,又是宽谱,则可以用BFAST。

      如果对这两种方法有问题请另外开贴。

    • 202121623058
      Subscriber

      感谢您的回复,还是旧的问题,由于该结构两边都是金属,如果我两边向外延伸的话,光源就几乎无法向内传播,

      于是换成了一份单层的结构测试,左边空气,中间金属,右边硅层,求中间金属界面处的s参数,我把两边的材料向外延伸,分析组的监视器和光源保持在离金属表面半个波长=300um附近的位置不变,相位补偿参数设置为中间金属位置及其厚度,但是运行后,有疑惑

      1、比如我原本设计的硅层厚度只有20um,向外延伸后,分析组的监视器是应该放在对应的20um处还是仍然半个波长处呢?

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      注意,菲涅尔系数不含吸收等之类的信息,吸收是传播特性。

      如果没有微纳结构,请用解析方法;或者stackrt;

      如果有微纳结构,只能仿真,每次仿真一个界面,可以将光源放介质中,但是监视器应该非常靠近界面(在界面上结果代表什么我很难说),比如一个网格距离,还要修正这一个网格距离上的传播损耗。你可以考虑用远场投射看看,周期结构用光栅分析。

      光源也是如此,可以非常靠近界面。但是也要修正距离产生的损耗。

      金属本身就有很强的吸收。

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