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[18205091986]

老师您好！我的结构是一个深度较大的单沟槽结构，光源采用的是NA光源（波长范围为1275nm~1375nm），由于我只关心沟槽区域对入射光的调制，那么为了缩短仿真时间，我是否可以对沟槽附近以外的区域加上三维的mesh（采用更粗的网格）？我的沟槽深度是10um、沟槽宽度2um，采用的网格精度为3，以下是我加入mesh的示例图：

[Guilin Sun]

八分之一光源最短波长是可以的，比精度1 的网格还细一些，参见 Ansys Insight: 用于设置Mesh accuracy对应多大的网格尺寸

注意是考虑折射率以后的波长啊。

另外，既然深孔部分都用粗网格，而且这里才是光与物质相互作用的主场，那背景网格就没有必要用精度3 了，用精度1 就可以。

当然，使用粗网格意味着精度降低，因此不能指望很高的精度了，比如近场看很粗糙。

精度和仿真时间（效率）是一对矛盾，需要取舍，折衷。

[18205091986]

感谢老师的回答，我深孔部分并没有加粗网格，仍然用的背景网格精度3，我是在除了深孔区域的其他结构区域添加了mesh粗网格，我使用的材料是硅，光源波段在1.275-1.375um之间，考虑到硅材料的折射率为3.5左右，因此我的最短波长约为0.3643um。在这种情况下，如果我将背景网格精度设置为3，将mesh粗网格的maximum mesh step都设置为0.15um左右，这样是否能够使深孔区域的近场仿真结果较精确的同时，有效降低仿真精度呢？

[Guilin Sun]

最短波长约为0.3643um，将mesh粗网格的maximum mesh step都设置为0.15um左右，这精度也太低了！对最终结果一定有影响。软件用精度1 是有道理的，再不济你也要同每个波长4个网格，否则结果精度难以预测。
你可以将光源下移，减小仿真区。
你用周期边界但是用高斯光影？有什么原因吗？一般周期比较需要与平面波同时使用，除非这个周期之大，使得结果不受周期间的相互作用。
看来这个仿真还有不少挑战，你需要斟酌，是降低精度还是换一个高性能计算机。

[18205091986]

老师，考虑到我结构和光源的对称性，为了降低仿真时间，我这里采用的是对称反对称边界条件

[18205091986]

老师您好，因为我需要以光源焦面为中心上下移动结构以得到不同的近场结果，因此没办法将光源设置在离结构比较近的位置。我重新设置了一下，将背景网格精度仍然设置为3，在我的结构上分别加入四个mesh粗网格（上下左右），mesh粗网格的maximum mesh step为0.07um，约为五分之一最短波长，如下图所示，不知道这样是否可行？另外我还有一个问题是，我是否可以直接改变光源输入面到光源焦面的距离（distance from focus）来模拟我直接上下移动结构的过程？改变distance from focus这个参数是否意味着我的光源已经完全不一样了？

[Guilin Sun]

两边都是反对称边界那就是周期性边界！

你只能使用Min那边对称性边界Max那边PML，否则你仿真的就是周期结构！

“背景网格精度仍然设置为3”，你没有看我之前给你的链接啊！ 这是对应介质内波长的14分之一的网格尺寸！ 五分之一波长可以得到较低精度的结果，网格问题就将到此为止。

可以直接改变光源输入面到光源焦面的距离（distance from focus），参见Ansys Insight: FDTD 初学者：高斯光源问题

给你的建议和链接要认真考虑和阅读。