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[Sungmin Yoon]

안녕하세요.

 

절연층에 대한 charge 특성을 보고자 Lumerical CHARGE를 사용하고 있습니다.

CHARGE에서는 semiconductor로 material assign이 되어야 시뮬레이션이 가능하므로..

특정 insulator를 semiconductor로 지정한 후, bandgap, thermal property 등에는 문헌값들을 입력했습니다.

 

Metal-Insulator-Metal 구조에서, 한 측은 그라운드, 다른 한 측은 0~-10V Sweep을 시켰습니다.

그런데 charge monitor 결과를 보는 Visulaizer에서 Attribute들 중 'free charge', 'n(electron density)'를 보니,

negative bias를 점점 인가함에 따라서 electron들이 점점 점점 감소하고 있습니다 (free charge(=p-n)은 증가, n은 감소).

electron이 점점 쌓여 accumulation 될 것으로 예상했었는데, 반대로 depletion이 되고 있으니 조금 의아합니다.

혹시, 왜 이런 것인가요? 

 

감사합니다. 

 

[Dong Sub Shin]

안녕하세요,

혹시 사용하셨던 예제 파일이나 상세 설정을 알려주시면 도움이 될 것 같습니다.

감사합니다.

[Sungmin Yoon]

우선, 답신 감사 드립니다.

+ 이 포스트 참고하여, 메일 주소를 말씀 드립니다: sungmin.yoon@kaist.ac.kr

위 메일로 연락 주시면 파일 송부 드리겠습니다. 

사용 버전은 Lumericla 2021 R1.4입니다.

감사합니다. 

 

[Dong Sub Shin]

안녕하세요,

해당 시뮬레이션을 살펴 보았으나, 아래에서 값이 거의 변하지 않고 있습니다.

아울러 먼저 말씀을 해주신 것 처럼 CHARGE는 semicondoctor를 위한 솔버이기이며, insulator과 같은 특성을 BC에 사용이 되고 있습니다. 해당 시뮬레이션이 캐패시터와 같이 어플리케이션을 알려주시면 해당 가이드를 드릴 수 있을 것 같습니다.

감사합니다.

[Sungmin Yoon]

안녕하세요, 답신 감사드립니다. 

- 말씀하신 바와 같이 값이 거의 변하지 않으나, 변화 자체만을 보았을 때 electron의 양이 감소하는 방향으로 변화하는 이유가 궁금했었습니다. 

 - 해당 테스트는, 일종의 사전테스트 였습니다. 최종 목표는 'Metal / Insulator(oxide) / p형 Si / Metal' 구조의 소자에서 electron과 hole의 이동 특성을 보기 위함입니다. 다만, 가운데에 들어 있는 oxide층이 절연층이다 보니, semiconductor로 지정한 후 구동을 해 본 것이었습니다.